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芯片耗电力降至1/10!日本新技术、联电争先导入出产

2015-06-12  信息根源:  检察:796

日经消息28日报导,日本半导体 (晶片)、液晶技能研发机构「日本半导体能源研究所(SEL、Semiconductor Energy Laboratory)」已研发出可将耗电力紧缩至现行1/10以下水准的次世代晶片量产技能,且台湾晶圆代工大厂联电 (UMC;2303)将争先正在2016年炎天开端出产接纳上述技能的CPU、记忆体产物。
报导指出,SEL舍弃现行支流的矽、改用被称为「IGZO」的氧化物半导体的非凡结晶体,藉由构成多层电子电路 (electronic circuit)、避免电流中漏,借此到达省电的结果,除可大幅改进聪慧手机等电子呆板的电池寿命以外,也无望增进聪慧腕表等穿着式安装的遍及速度。

据报导,除CPU、记忆体以外,上述新技术也可利用正在感测器、逻辑积体电路 (IC)等遍及半导体产物上,借此可将聪慧腕表等穿着式安装的电池寿命耽误至现行的约10倍水准,而SLE计画将该技能卖给环球半导体厂商、借此收取特许费。

报导并指出,此后半导体底子质料大概将从现行支流的矽转换成IGZO非凡结晶体,而美国英特尔(Intel)、南韩三星电子(Samsung Electronics)等环球半导体大厂也正连续存眷此种技能意向。

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