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快速推出低导通电阻的800V耐压功率MOSFET

2015-03-20  信息根源:  检察:867

快速推出低导通电阻的800V耐压功率MOSFET
 
美国快速半导体(Fairchild Semiconductor)推出了低导通电阻的+800V耐压功率MOSFET。那款产物包罗正在该公司的「SuperFET II MOSFET」系列中,按照封装和导通电阻的差别,备有26款产物。该公司暗示,「新产品次要用于要求耐压高于+600V和650V的电子设备,能够进步这些装备的转换服从、本钱服从和可靠性」。新产品的详细用处包罗LED照明用具、超薄电视(LED背照灯用电源)、家庭影院用音响设备、AC转接器、服务器、产业用电子装备和光伏发电用微转换器等。 
 
新产品备有TO-247、D2-PAK、TO-220、TO-220F、D-PAK(TO-252)和I-PAK(TO-251)六种封装。导通电阻(栅源间电压为+10V时的最大值)正在60m~4300mΩ的范围内。60mΩ产物接纳TO-247封装,据快速半导体先容,「正在不异耐压的产物中,60mΩ产物的导通电阻最低」。 
 
比方,接纳D-PAK封装的850mΩ产物的特性以下。最大持续漏极电流为为6A、最大脉冲漏极电流为18A,输入电容为990pF(标称值),输出电容为28pF(标称值)。据先容,那款产物的输出电容比其他竞争对手的产物低8~13%摆布。反应电容为0.74pF(标称值)。总栅极电荷为22nC(标称值)。等效串连电阻为2.4Ω。事情接合部温度范畴为-55~+150℃。

 
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