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日立高科公布新型FEB测长仪,用于7nm和10nm元件

2015-08-01  信息根源:  检察:750

日立高新技术公司于2015年7月14日公布了FEB(Field Emission Beam,场发射电子束)测少安装的新产品“CG6300”。该机型可满意7nm工艺元件开辟和10nm工艺元件量产时的工艺节制需求,预定2015年10月开端发卖。
据日立高新技术公司先容,正在7nm及10nm元件的微细化办法中,今朝的支流是操纵液浸暴光机施行LELELE(litho-etch-litho-etch-litho-etch,暴光-刻蚀-暴光-刻蚀)的重复工艺,和操纵液浸暴光机和成膜及刻蚀安装等施行SAQP(Self Align Quadruple Patterning)的多重图案构成技能。

       别的,正在FinFET、三维NAND闪存及DRAM方面,跟着布局背三维化及大宽高比化成长,深沟槽及孔底的尺寸丈量也要很是精确。并且,陪伴微细化历程,掩模及查抄工序的数目也正在增添,成为尖端元件厂商的一年夜课题。

       新产品G6300正在开辟中更新了已有机型“CG5000”的电子光学系统,由此加强了分辨率,进步了测少再现性及画质。电子显微镜镜体可按照计测工具,挑选由质料检测出的二次电子或反向散射电子,是以可针对BEOL(Back End Of line)工序中的Via-in-trench、三维NAND闪存和DRAM,丈量深沟槽及孔底的尺寸。

       别的,经过将电子束扫描速度较本来进步一倍,借可低落晶圆概况的带电影响,得到高分辨率图象,并实现基于下对比度的边沿检测。同时,新产品借从头计划了载物台,使单元工夫的晶圆处置量比本来进步了20%.

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