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单向可控硅取双向可控硅的导通条件

2015-07-08  信息根源:  检察:902

一、单向可控硅事情道理
可控硅导通条件:一是可控硅阳极取阴极间必需减正向电压,两是节制极也要加正向电压。以上两个前提必需同时具有,可控硅才会处于导通形态。别的,可控硅一旦导通后,即便低落节制极电压或去掉节制极电压,可控硅仍旧导通。
可控硅闭断前提:低落或去掉减正在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小保持电流以下。
两、单向可控硅的引脚辨别
对可控硅的引脚辨别,有的可从形状封装加以鉴别,如外壳便为阳极,阴极引线比节制极引线少。从形状没法判定的可控硅,可用万用表R×100R×1K挡,丈量可控硅随便两管脚间的正反向电阻,当万用表唆使低阻值(几百欧至几千欧的范畴)时,黑表笔所接的是节制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A
三、单向可控硅的机能检测
可控硅质量黑白的鉴别能够从四个方面举行。第一是三个PN结应残缺;第二是当阴极取阳极间电压反向毗连时可以阻断,不导通;第三是当节制极开路时,阳极取阴极间的电压正向毗连时也不导通;第四是给节制极加上正向电流,给阴极取阳极减正向电压时,可控硅该当导通,把节制极电流去掉,仍处于导通形态。
    用万用表的欧姆挡丈量可控硅的极间电阻,便可对前三个方面的黑白举行判定。详细办法是:用R×1kR×10k挡测阴极取阳极之间的正反向电阻(节制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越年夜,标明正反向泄电电流愈小。假如测得的阻值很低,或近于无穷大,阐明可控硅曾经击穿短路或曾经开路,此可控硅不克不及利用了。 
   R×1kR×10k挡测阳极取节制极之间的电阻,正反向丈量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小标明可控硅击穿短路。 
    R×1kR×100挡,测控造极和阴极之间的PN结的正反向电阻正在几千欧摆布,如呈现正向阻值靠近于整值或为无穷大,标明节制极取阴极之间的PN结曾经破坏。反向阻值应很大,但不克不及为无穷大。一般环境是反向阻值较着大于正向阻值。 
    万用表选电阻R×1挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔正在不脱开阳极的同时用表笔尖来刹时短接节制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆摆布。如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针产生偏转,阐明该单向可控硅已击穿破坏。
四、可控硅的利用注意事项
选用可控硅的额定电压时,应参考实践事情条件下的峰值电压的巨细,并留出必定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时,除思量经过元件的均匀电流中,借应留意一般事情时导通角的巨细、散热透风前提等身分。在工作中借应留意管壳温度不超过响应电流下的答应值。
2、利用可控硅之前,该当用万用表查抄可控硅能否杰出。收现有短路或断路征象时,应当即改换。
3、严禁用兆欧表(即摇表)查抄元件的绝缘环境。
4、电流为5A以上的可控硅要拆散热器,而且包管所划定的冷却前提。为包管散热器取可控硅管心打仗杰出,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于杰出的散热。
5、按划定对主电路中的可控硅接纳过压及过流保护装置。
6、要避免可控硅节制极的正向过载和反向击穿。
双向可控硅的事情道理
    1.可控硅是P1N1P2N2四层三端布局元件,共有三个PN结,阐发道理时,能够把它看做由一个PNP管和一个NPN管所构成
  当阳极A加上正向电压时,BG1BG2管均处于放大形态。此时,假如从节制极G输入一个正向触发旌旗灯号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。由于BG2的集电极间接取BG1的基极相连,以是ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,因而BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不竭增大,云云正向馈轮回的成果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
 因为BG1BG2所组成的正反馈感化,以是一旦可控硅导通后,即便节制极G的电流消散了,可控硅仍旧可以保持导通形态,因为触发旌旗灯号只起触发感化,出有关断功效,以是这类可控硅是不成闭断的。
  因为可控硅只要导通和关断两种事情形态,以是它具有开关特性,这类特性必要必定的前提才气转化
 2,触发导通
  正在节制极G上参加正向电压时(见图5)果J3正偏偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,构成触发电流IGT。正在可控硅的内部正反馈感化(见图2)的基础上,加上IGT的感化,使可控硅提早导通,招致图3的伏安特性OA段左移,IGT越年夜,特性左移越快。
 
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